PCTS-2000E偏置電場下熱釋電系數測試系統采用直接測量法，在熱釋電材料兩端施加直流偏場的條件下，測量熱釋電材料在均勻升溫過程中釋放出來的熱釋電電流，計算得到場致熱釋電系數，適用于各種熱釋電薄膜、厚膜、單晶、陶瓷材料等的測試。

PCTS-2000E偏置電場下熱釋電系數測試系統采用直接測量法，在熱釋電材料兩端施加直流偏場的條件下，測量熱釋電材料在均勻升溫過程中釋放出來的熱釋電電流，計算得到場致熱釋電系數，適用于各種熱釋電薄膜、厚膜、單晶、陶瓷材料等的測試。

場致熱釋電系數測試主要性能指標：

a. 測量范圍：0.1 pA ～ 1 μA

b. 測量精度：10 fA

c. 樣品類型：單晶、塊體、膜

d. 最大樣品厚度：10 mm

e. 最大樣品尺寸：Φ30 mm

f. 樣品形狀：不限

g. 直流偏場：0～5000 V可調

h. 高壓擊穿保護：有

i. 溫度范圍：RT ～ 260 ℃

j. 控溫精度：±0.1 ℃

k. 升降溫速率：1～10 ℃/min

l. 具有控溫故障診斷監控、超溫自動斷電保護功能

本測試系統由主控器、高壓電源、高溫測試箱（配熱釋電測試夾具）、計算機及系統軟件部分組成。主控器實現高壓信號發生器、收集熱釋電電流、與PC通訊等功能，系統軟件包括可視化數據采集和管理功能，測試時，按要求安裝樣片后，一鍵啟動熱釋電系數測量，測量過程曲線和測試結果自動保存。

配置的高溫測試箱，以電阻絲為加熱元件，采用T型熱電偶和可編程溫度控制器。爐膛采用全金屬爐膛，溫度可達260℃，控溫精度±0.1℃；同時設有通氣接口，可用于惰性氣體下使用。具有溫度場均衡、控溫準、升降溫速率快等優點。

先后有華中科技大學、四川大學、南京理工大學、上海師范大學、河北大學、湖北大學、江西科技學院等單位選購PCTS-2000-E偏置電場下熱釋電系數測試系統，已助力客戶在ACS AMI、J AM CERAM SOC、ACTA MATER等國內外*期刊發表優秀論文，產品詳細資料請咨詢我司。